30W 50V GaN HEMT RF PA Wzmacniacz mocy RF Transistor mocy RF dla 5700- 5900MHz

YP40601625T jest 30-watowym, wewnętrznie dopasowanym GaN HEMT, zaprojektowanym do wielu zastosowań z częstotliwościami od 4000 do 6000 MHz, w szczególności od 5700 do 5900 MHz.Wydajność jest gwarantowana dla zastosowań działających w wymienionych częstotliwościach Nie ma gwarancji wydajności, gdy ta część jest używana w zastosowaniach zaprojektowanych poza tymi częstotliwościamiTypowa wydajność (na urządzeniach Innotion): VDD = 50 Volt, IDQ = 110 mA, CW, Psat>30W

Zastosowania i cechy

• Odpowiedni do infrastruktury łączności bezprzewodowej, radaru komercyjnego, wzmacniacza szerokopasmowego, jammera, badań EMC, ISM itp.
• Wyższa wydajność i operacje zysku liniowego
• Zestaw standardów przemysłowych wzmocnionych termicznie
• Proces metalizacji o wysokiej niezawodności
• Doskonała stabilność termiczna i doskonała twardość
• Zgodne z dyrektywą 2002/95/WE w sprawie ograniczenia stosowania substancji niebezpiecznych (RoHS) UWAGA Ważna: Odpowiednia sekwencja zabiegu dla tranzystorów GaN HEMT Włączając urządzenie 1.Ustawić VGS na napięcie wyłączania (VP), zazwyczaj 5 V 2. Włącz VDS do napięcia nominalnego (50 V) 3. Zwiększ VGS, dopóki nie zostanie osiągnięty prąd IDS 4. Wprowadź moc wejściową RF do pożądanego poziomu Wyłącz urządzenie 1. Wyłącz moc RF 2.Zmniejszyć VGS do VP, zazwyczaj 5 V. Zmniejsz VDS do 0 V. Wyłącz VGS

Ważna UWAGA: Odpowiednia sekwencja stronniczości dla tranzystorów GaN HEMT

Włączanie urządzenia

1.Ustawić napięcie VGS na napięcie odcisku (VP), zazwyczaj 5 V

2.Włącz VDS do napięcia nominalnego (50 V)

3.Zwiększyć VGS do momentu osiągnięcia prądu IDS

4.Aplikacja mocy wejściowej RF do pożądanego poziomu

Wyłączenie urządzenia

1- Wyłącz radiofoniczną moc.

2.Zmniejszyć VGS do VP, zazwyczaj ¥5 V

3Zmniejsz VDS do 0 V 4. Wyłącz VGS.